Logotipo de Zephyrnet

Observación en el espacio real de un gas de electrones bidimensional en heterointerfaces de semiconductores

Fecha:

  • Ambacher, O. et al. Gases de electrones bidimensionales inducidos por polarización espontánea y piezoeléctrica en heteroestructuras de AlGaN/GaN no dopadas y dopadas. Aplicación J. física 87, 334 – 344 (2000).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ambacher, O. et al. Gases de electrones bidimensionales inducidos por cargas de polarización espontáneas y piezoeléctricas en heteroestructuras de AlGaN/GaN con cara N y Ga. Aplicación J. física 85, 3222 – 3233 (1999).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ohta, H. et al. Coeficiente de Seebeck termoeléctrico gigante de un gas de electrones bidimensional en SrTiO3. Nat. Mate. 6, 129 – 134 (2007).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ferain, I., Colinge, CA y Colinge, J.-P. Los transistores multipuerta como el futuro de los transistores clásicos de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor. Naturaleza 479, 310 – 316 (2011).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Syaranamual, GJ et al. Papel del gas de electrones bidimensional (2DEG) en la degradación del estado ON del transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de AlGaN/GaN. Microelectrón. confiable 64, 589 – 593 (2016).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Kaushik, PK, Singh, SK, Gupta, A., Basu, A. & Chang, EY Impacto de los estados superficiales y la fracción molar de aluminio en el potencial superficial y 2DEG en AlGaN/GaN HEMT. Resolución a nanoescala Letón. 16, 159 (2021).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Smorchkova, IP et al. Carga inducida por polarización y movilidad de electrones en heteroestructuras de AlGaN/GaN cultivadas mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma. Aplicación J. física 86, 4520 – 4526 (1999).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ibbetson, JP et al. Efectos de polarización, estados superficiales y la fuente de electrones en transistores de efecto de campo de heteroestructura AlGaN/GaN. Appl. Phys. Letón. 77, 250 – 252 (2000).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Zheng, Z. et al. Circuitos integrados lógicos complementarios basados ​​en nitruro de galio. Nat. Electrón. 4, 595 – 603 (2021).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Joh, J. & del Alamo, JA Una metodología transitoria de corriente para el análisis de trampas para transistores de alta movilidad de electrones de GaN. IEEE Trans. Dispositivos electrónicos 58, 132 – 140 (2011).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Pearton, SJ, Ren, F., Patrick, E., Law, ME y Polyakov, AY Revisión: efectos de daños por radiación ionizante en dispositivos de GaN. ECS J. Estado Sólido Sci. Tecnología 5, P35-P60 (2016).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Nakagami, K., Ohno, Y., Kishimoto, S., Maezawa, K. y Mizutani, T. Mediciones de potencial de superficie de transistores de alta movilidad de electrones AlGaN/GaN mediante microscopía de fuerza con sonda Kelvin. Appl. Phys. Letón. 85, 6028 – 6029 (2004).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Masuda, H., Ishida, N., Ogata, Y., Ito, D. y Fujita, D. Mapeo de potencial interno de baterías de iones de litio de estado sólido cargadas usando in situ Microscopía de fuerza con sonda Kelvin. Nanoescale 9, 893 – 898 (2017).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Cao, Y., Pomeroy, JW, Uren, MJ, Yang, F. y Kuball, M. Mapeo de campo eléctrico de dispositivos semiconductores de banda prohibida ancha con una resolución submicrométrica. Nat. Electrón. 4, 478 – 485 (2021).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Shibata, N. et al. Microscopía de contraste de fase diferencial a resolución atómica. Nat. física 8, 611 – 615 (2012).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Müller-Caspary, K. et al. Polarización eléctrica en nanodiscos de AlN/GaN medida mediante microscopía electrónica de transmisión de barrido 4D con resolución de momento. física Rev. Lett. 122, 106102 (2019).

    Artículo  Google Scholar 

  • Canción, K. et al. Imágenes directas del líquido de electrones en las interfaces de óxido. Nat. Nanotecnol 13, 198 – 203 (2018).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Lobo, D. et al. Revelando la textura magnética tridimensional de los tubos skyrmion. Nat. Nanotecnol 17, 250 – 255 (2022).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Mawson, T. et al. Supresión de artefactos de difracción dinámica en microscopía electrónica de transmisión de barrido de contraste de fase diferencial de campos electromagnéticos de largo alcance a través de la precesión. ultramicroscopía 219, 113097 (2020).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Haas, B., Rouvière, J.-L., Boureau, V., Berthier, R. & Cooper, D. Comparación directa de holografía fuera del eje y contraste de fase diferencial para el mapeo de campos eléctricos en semiconductores mediante microscopía electrónica de transmisión . ultramicroscopía 198, 58 – 72 (2019).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Yamamoto, K., Anada, S., Sato, T., Yoshimoto, N. & Hirayama, T. Holografía de electrones de cambio de fase para la medición precisa de distribuciones de potencial en semiconductores orgánicos e inorgánicos. Microscopía 70, 24 – 38 (2021).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Marino, FA, Cullen, DA, Smith, DJ, McCartney, MR y Saraniti, M. Simulación de la carga de polarización en transistores de alta movilidad de electrones AlGaN/GaN: comparación con la holografía de electrones. Aplicación J. física 107, 054516 (2010).

    Artículo  Google Scholar 

  • Wu, ZH et al. Mapeo del potencial electrostático a través de heteroestructuras de AlGaN/AlN/GaN mediante holografía electrónica. Appl. Phys. Letón. 90, 032101 (2007).

    Artículo  Google Scholar 

  • Kohno, Y., Nakamura, A., Morishita, S. & Shibata, N. Desarrollo de un sistema de escaneo inclinado para microscopía electrónica de transmisión de barrido de contraste de fase diferencial. Microscopía 71, 111 – 116 (2022).

    Artículo  Google Scholar 

  • Toyama, S. et al. Mapeo cuantitativo del campo eléctrico en heteroestructuras de semiconductores a través de DPC STEM promediado por escaneo de inclinación. ultramicroscopía 238, 113538 (2022).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Lippmann, BA Teorema de Ehrenfest y teoría de la dispersión. física Rev. Lett. 15, 11 – 14 (1965).

    Artículo  Google Scholar 

  • Close, R., Chen, Z., Shibata, N. & Findlay, SD Hacia una reconstrucción cuantitativa con resolución atómica del potencial electrostático a través del contraste de fase diferencial usando electrones. ultramicroscopía 159, 124 – 137 (2015).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Seki, T. et al. Mapeo cuantitativo de campos eléctricos en especímenes delgados utilizando un detector segmentado: revisando la función de transferencia para el contraste de fase diferencial. ultramicroscopía 182, 258 – 263 (2017).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Kohno, Y., Seki, T., Findlay, SD, Ikuhara, Y. & Shibata, N. Visualización en espacio real de campos magnéticos intrínsecos de un antiferromagnético. Naturaleza 602, 234 – 239 (2022).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Sánchez-Santolino, G. et al. Sondeo de las distribuciones de densidad de carga atómica interna en el espacio real. ACS Nano 12, 8875 – 8881 (2018).

    Artículo  Google Scholar 

  • Ishikawa, R. et al. Imágenes de campo eléctrico directo de defectos de grafeno. Nat. Comun. 9, 3878 (2018).

    Artículo  Google Scholar 

  • Gao, W. et al. Imágenes de densidad de carga en el espacio real con resolución sub-ångström mediante microscopía electrónica de cuatro dimensiones. Naturaleza 575, 480 – 484 (2019).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Trellakis, A. et al. El proyecto de dispositivo nanométrico 3D nextnano: conceptos, métodos, resultados. J. Cómputo. Electrón. 5, 285 – 289 (2006).

    Artículo  Google Scholar 

  • Birner, S. et al. nextnano: simulaciones 3-D de propósito general. IEEE Trans. Dispositivos electrónicos 54, 2137 – 2142 (2007).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Schowalter, M., Rosenauer, A., Lamoen, D., Kruse, P. y Gerthsen, D. Desde el principio Cálculo del potencial interior medio de Coulomb de semiconductores de tipo wurtzita y oro. Appl. Phys. Letón. 88, 232108 (2006).

    Artículo  Google Scholar 

  • Jain, SC, Willander, M., Narayan, J. & Overstraeten, RV III–Nitruros: crecimiento, caracterización y propiedades. Aplicación J. física 87, 965 – 1006 (2000).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ando, ​​T., Fowler, AB & Stern, F. Propiedades electrónicas de sistemas bidimensionales. Rev.Mod. física 54, 437 – 672 (1982).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Ando, ​​T. Resultados autoconsistentes para un GaAs/AlxGa1-xComo heterojunción. II. Movilidad a baja temperatura. J. física. Soc. Jpn 51, 3900 – 3907 (1982).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Quang, DN, Tuoc, VN, Tung, NH, Minh, NV y Phong, PN Mecanismos inducidos por rugosidad para la dispersión de electrones en heteroestructuras de nitruro del grupo III de wurtzita. física Rev B 72, 245303 (2005).

    Artículo  Google Scholar 

  • Quang, DN et al. Tiempos de vida cuánticos y de transporte debido a la dispersión inducida por rugosidad de un gas de electrones bidimensional en heteroestructuras de nitruro del grupo III de wurtzita. física Rev B 74, 205312 (2006).

    Artículo  Google Scholar 

  • Kawahara, K. et al. Ajuste único de espectros de impedancia electroquímica mediante el algoritmo de Metropolis Hastings de recorrido aleatorio. J. Fuentes de energía 403, 184 – 191 (2018).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Butté, R. et al. Estado actual de las capas de AlInN emparejadas en celosía con GaN para fotónica y electrónica. J. Phys. re 40, 6328 – 6344 (2007).

    Artículo  Google Scholar 

  • Crespo, A. et al. Rendimiento de banda Ka de alta potencia de AlInN/GaN HEMT con barrera de 9.8 nm de espesor. Dispositivo de electrones IEEE Lett. 31, 2 – 4 (2010).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Py, MA, Lugani, L., Taniyasu, Y., Carlin, J.-F. & Grandjean, N. Donante poco profundo y centro profundo similar a DX en capas de InAlN casi emparejadas en forma de celosía con GaN. física Rev B 90, 115208 (2014).

    Artículo  Google Scholar 

  • Kappers, MJ, Zhu, T., Sahonta, S. ‐L., Humphreys, CJ & Oliver, RA Investigaciones de SCM y SIMS sobre dopaje no intencional en III‐nitruros. Phys. Estado Solidi C 12, 403 – 407 (2015).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Chung, RB et al. Estudio de crecimiento y caracterización de impurezas de AlxIn1-xN cultivado por deposición de vapor químico orgánico metálico. J. Cryst. Crecimiento 324, 163 – 167 (2011).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Egerton, RF Espectroscopia de pérdida de energía de electrones en el microscopio electrónico (Springer Science & Business Media, 2011).

  • Shibata, N. et al. Microscopía electrónica de resolución atómica en un entorno libre de campos magnéticos. Nat. Comun. 10, 2308 (2019).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Morishita, S. et al. Obtención de una resolución espacial de 40.5 pm utilizando un microscopio electrónico de transmisión de barrido de 300 kV equipado con un corrector de aberraciones de quinto orden. Microscopía 67, 46 – 50 (2018).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • Tsuda, K. & Tanaka, M. Refinamiento de parámetros estructurales de cristal utilizando patrones CBED filtrados con energía bidimensional. Acta Crystallogr. A 55, 939 – 954 (1999).

    Artículo  CAS  Google Scholar 

  • punto_img

    Información más reciente

    punto_img

    Habla con nosotros!

    ¡Hola! ¿Le puedo ayudar en algo?