Noticias: Microelectrónica
21 de febrero de 2024
La empresa de tecnología de circuitos integrados de energía de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) Navitas Semiconductor Corp de Torrance, CA, EE. UU., ha anunciado que sus circuitos integrados de energía GaNFast impulsan la 'carga súper rápida' (SFC) de 25 W de Samsung para el nuevo modelo mejorado con IA. Teléfono inteligente Galaxy S24.
Las especificaciones de hardware emblemáticas incluyen una AMOLED 2340X dinámica de 1080 x 2 (FHD+) y una pantalla de 120 Hz, además, el Galaxy S24 ofrece funciones de IA innovadoras y prácticas. Funciones de Galaxy AI como Live Translate, Chat Assist y el nuevo 'Círculo para buscar' con Google.
La unidad GaNFast de 25 W ofrece una carga del 50 % a la batería de alta capacidad de 4000 mAh en solo 30 minutos, mientras que la especificación USB PD 3.0 (Tipo-C) la hace compatible con otros productos Samsung, incluido el audio Galaxy Buds2, Galaxy Z Fold5, Galaxy Flip y Galaxia A23.
Diseñado teniendo en cuenta la sostenibilidad, el adaptador de corriente de 25 W presenta una reducción del 75 % en el consumo de energía en modo de suspensión. La tecnología GaNFast de Navitas se implementa en una topología cuasi-resonante (HFQR) de alta frecuencia que funciona a 150 kHz (3 veces más rápido que los diseños de silicio estándar) y ofrece una reducción de tamaño del 30 % en comparación con los diseños de cargadores convencionales.
"La implementación de GaNFast IC ha permitido a Samsung crear un adaptador de 25 W ultracompacto, liviano y eficiente que puede recargar rápidamente el nuevo Galaxy S24 y una variedad de otros teléfonos y accesorios de la gama Samsung", señala David Carroll, vicepresidente senior a nivel mundial. ventas de Navitas.
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-210224.shtml
