Noticias: Optoelectrónica
28 de febrero de 2024
Scintil Photonics de Grenoble, Francia y Toronto, Canadá, un desarrollador sin fábrica de circuitos integrados fotónicos de silicio aumentados (matrices de láser integradas, transmisores y receptores de 800 Gb/s, transmisores y receptores sintonizables, así como E/S ópticas para chips cercanos y chips -chip de comunicación), ha anunciado la integración de amplificadores y láseres de retroalimentación distribuida (DFB) III-V con tecnología fotónica de silicio estándar en producción en la fundición Tower Semiconductor, lo que marca un paso fundamental en su cadena de suministro.
Los circuitos totalmente integrados de Scintil comprenden lo que se dice que es una tecnología patentada única, que se basa en fotónica de silicio estándar y permite la integración monolítica de láseres y amplificadores para permitir un mejor rendimiento, velocidad, confiabilidad y alta densidad con un bajo consumo de energía para centros de datos e inteligencia artificial. (IA) y aplicaciones 5G.
Fabricada con la tecnología de fundición de fotónica de silicio PH18M básica de alto volumen de Tower, que incluye guías de ondas, fotodetectores y moduladores de baja pérdida, la tecnología de Scintil integra monolíticamente láseres y amplificadores DFB en la parte posterior de las obleas. Pruebas adicionales de los circuitos de Scintil realizadas por clientes mostraron que no era necesario un paquete hermético, al tiempo que demostraron una mayor durabilidad y robustez.
"Gracias a nuestra larga colaboración, estamos bien posicionados para ofrecer circuitos integrados fotónicos de silicio aumentados con láser que redefinen la integración, el rendimiento y la escalabilidad", afirma la presidenta y directora ejecutiva Sylvie Menezo. "Esto posicionará a Scintil para una producción de gran volumen que satisfaga las demandas del mercado", añade. "Además, nuestra tecnología presenta oportunidades notables para dar cabida a la integración de más materiales, como los materiales de puntos cuánticos y niobato de litio".
Se espera que el mercado de transceptores de fotónica de silicio aumente a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 24%, alcanzando un mercado direccionable total (TAM) de al menos 7 mil millones de dólares en 2025, según la firma de investigación de mercado LightCounting.
"Estamos entusiasmados de apoyar a Scintil en esta solución altamente integrada que utiliza los componentes básicos de producción probados de Tower", dice Edward Preisler, vicepresidente y gerente general de la unidad de negocios de RF de Tower. "La integración de amplificadores/láseres ópticos III-V se alinea con el compromiso de Tower Semiconductor de llevar al mercado tecnologías fotónicas de silicio de vanguardia".
Scintil demuestra la primera fuente láser de peine DFB de 100 GHz de un solo chip
Scintil presenta un circuito integrado fotónico de silicio aumentado III-V
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/scintil-tower-280224.shtml
