En este artículo, estudiamos el transporte de Schottky en un semiconductor de espacio estrecho y grafeno de pocas capas en el que las dispersiones de energía son altamente no parabólicas. Proponemos que la relación de escalamiento de temperatura actual contrastante de $J\propto T^2$ en la interfaz convencional de Schottky y $J\propto T^3$ en la interfaz Schottky basada en grafeno se puede conciliar bajo Kane $\mathbf{k}·\mathbf{p}$ modelo de banda no parabólica para semiconductores de espacio estrecho. Nuestro modelo sugiere una forma más general de $J\propto (T^2+\gamma k_B{T}^3)$, donde el parámetro no parabólico $\gamma$ proporciona una transición suave de $T^2$ a $T^3$ escalada. Para el grafeno de pocas capas, encontramos que $N$de grafeno de capa $ABC$ apilamiento sigue $J\propto T^{2/N+1}$, mientras $ABA$ el apilamiento sigue una forma universal de $J\propto T^3$ independientemente del número de capas. Curiosamente, la constante de Richardson extraída del gráfico de Arrhenius utilizando una relación de escala incorrecta no está de acuerdo con el valor real en 2 órdenes de magnitud, lo que sugiere que se deben usar modelos correctos para extraer propiedades importantes para muchos dispositivos Schottky.

• Recibido el 7 de junio de 2016

DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.6.034013

Física de la materia condensada y los materiales

Fuente: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevApplied.6.034013