Logotipo de Zephyrnet

Etiqueta: FeFET

Matriz de memoria ferroeléctrica apilada compuesta por transistores de efecto de campo ferroeléctrico de activación lateral

Investigadores de Samsung Electronics publicaron un artículo técnico titulado “Transistor de efecto de campo ferroeléctrico de compuerta lateral (LG-FeFET) que utiliza α-In2Se3 para una matriz informática apilada en memoria”...

Top News

No hay mensajes para mostrar

Información más reciente

punto_img
punto_img