Las bases de datos en memoria funcionan más rápido que las bases de datos con almacenamiento en disco. Esto se debe a que utilizan algoritmos de optimización “internos”, que son más simples y rápidos, y esto...
22 de enero de 2024 (Nanowerk News) Los científicos e ingenieros han estado presionando durante la última década para aprovechar un material ferroeléctrico esquivo llamado óxido de hafnio, o...
Investigadores de la Universidad de Lund publicaron un artículo técnico titulado “Memristores de unión de túnel ferroeléctrico para aceleradores de computación en memoria”.
Abstracto:
“La computación neuromórfica ha despertado un gran interés...
La fotónica y la óptica estuvieron fuertes en diciembre, y los inversores financiaron dos empresas diferentes que utilizan tecnologías fotónicas para desarrollar interconexiones y chips de IA. Otra clave...
04 de enero de 2024
(Nanowerk Spotlight) Los investigadores están buscando memristores (dispositivos de memoria resistiva con propiedades similares a las neuronas) como un medio para desarrollar energía eficiente...
Investigadores de Samsung Electronics publicaron un artículo técnico titulado “Transistor de efecto de campo ferroeléctrico de compuerta lateral (LG-FeFET) que utiliza α-In2Se3 para una matriz informática apilada en memoria”...
11 de octubre de 2023 (Nanowerk Spotlight) Los científicos han desarrollado un nuevo tipo de componente electrónico que demuestra funciones de aprendizaje y memoria como las del cerebro humano....
03 de octubre de 2023 (Nanowerk News) Un proyecto multiinstitucional dirigido por un investigador de Penn State se centra en desarrollar un dispositivo semiconductor todo en uno que pueda...
Combinando digital y analógico Investigadores de la École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) proponen integrar semiconductores 2D con materiales ferroeléctricos para obtener información digital y analógica conjunta...
Los materiales ferroeléctricos ultrafinos, incluidas las perovskitas, los óxidos de hafnio y las pilas de van der Waals, son de creciente interés porque exhiben propiedades que son difíciles de...
Los protones mejoran la memoria ferroeléctrica Investigadores de la Universidad de Ciencia y Tecnología King Abdullah (KAUST), la Universidad de Qingdao y la Universidad de Zhejiang desarrollaron un método para producir múltiples...
Inicio › Noticias de IoT › Infineon presenta EXCELON F-RAM serie de 1 Mbit calificada para automoción, agrega densidad de 4 Mbit Infineon Technologies AG presentó dos nuevas RAM ferroeléctrica...
