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Etiqueta: PUF

Conferencia Synopsys SNUG Silicon Valley 2024: Impulsando la innovación en la era de la inteligencia generalizada - Semiwiki

Después de la transición de liderazgo en la cima, a Synopsys le faltaban poco más de dos meses para el evento insignia de la compañía, el Synopsys User...

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Cómo se pueden usar los dispositivos MRAM controlados por voltaje para crear huellas dactilares únicas de chips microelectrónicos

Investigadores de la Universidad Northwestern, Western Digital, publicaron un artículo técnico titulado "Funciones físicamente no clonables reconfigurables basadas en uniones de túneles magnéticos controlados por voltaje a nanoescala".

Abordar las semillas falsificadas con etiquetas 'no clonables'

23 de marzo de 2023 (Nanowerk News) Los rendimientos promedio de los cultivos en África están constantemente muy por debajo de lo esperado, y una razón importante es la prevalencia de...

Seguridad de vehículos: seguridad poscuántica para la red CAN

Investigadores de la Universidad de Tennessee publican este nuevo documento técnico titulado "Marco CAN-FD poscuántico basado en PUF para la seguridad vehicular". Resumen“La Red de Área del Controlador (CAN)...

PUF basado en retardo para chiplets para verificar la integridad del sistema

Nuevo documento técnico titulado "Conozca el tiempo para morir: verificación de integridad para sistemas basados ​​​​en chiplets de confianza cero que utilizan PUF de retardo entre matrices" por investigadores de la Universidad ...

Recuperación de claves para la protección de contenido mediante PUF ternarios diseñados con ReRAM preformada

Investigadores de la Universidad del Norte de Arizona examinan el rendimiento de las soluciones basadas en ReRAM frente a los esquemas basados ​​en PUF de SRAM en términos de BER y resistencia a la manipulación. Financiado por el Laboratorio de Investigación de la Fuerza Aérea de EE. UU. (AFRL).

El puesto Recuperación de claves para la protección de contenido mediante PUF ternarios diseñados con ReRAM preformada apareció por primera vez en Ingeniería de semiconductores.

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