Investigadores del Laboratorio Nacional de Idaho, la Universidad de Texas en Austin, la Universidad de Texas en San Antonio y la Universidad George Mason publicaron un nuevo artículo de investigación titulado "Simulando interacciones de energía y seguridad en la fabricación de semiconductores: conocimientos del modelo Intel Minifab".
Resumen:
“La fabricación de semiconductores es muy compleja. Las plantas de fabricación deben lidiar con flujos de reentrada para admitir múltiples tipos de obleas que se producen simultáneamente, cada una con sus propios plazos y especificaciones. El proceso de fabricación en sí depende de la capacidad de controlar y ajustar mediante programación una variedad de condiciones ambientales, incluidas la temperatura, la humedad y la calidad del aire. Además, la fabricación de obleas consume grandes cantidades de electricidad. Las tecnologías emergentes pueden ayudar a reducir la huella energética de dichas instalaciones, pero pueden introducir riesgos de ciberseguridad. Por lo tanto, este documento presenta un marco de modelado y simulación para cuantificar las compensaciones entre las medidas operativas de rendimiento, consumo de energía y controles de ciberseguridad. Aumentamos el modelo Intel Minifab, con Purdue Enterprise Reference Architecture (PERA) para ciberseguridad, así como datos de consumo de energía a nivel de herramienta de un banco de pruebas de fabricación de semiconductores del mundo real. De esta manera, tenemos la intención de proporcionar a las partes interesadas un enfoque sistemático basado en datos para evaluar los riesgos emergentes dentro del proceso de fabricación”.
Encuentra los documento técnico aquí y esta página. Publicado noviembre de 2022.
Cita: Weaver, Gabriel A, Hasenbein, John J., Kutanoglu, Erhan, Martinez-Medina, Gonzalo, Shusko, Jacob William, Castillo-Villar, Krystel K. y Costa, Paulo Cesar. Simulación de interacciones de energía y seguridad en la fabricación de semiconductores: perspectivas del modelo Intel Minifab. Estados Unidos: N. p., 2022. Web.
