TOKIO, 12 de diciembre de 2023 – (JCN Newswire) – Hitachi High-Tech Corporation (“Hitachi High-Tech”) anunció hoy el lanzamiento de su sistema de metrología por haz de electrones de alta precisión GT2000. GT2000 utiliza la tecnología y la experiencia de Hitachi High-Tech en CD-SEM(1), donde tiene la principal cuota de mercado. GT2000 está equipado con nuevos sistemas de detección para dispositivos semiconductores 3D de última generación. También utiliza funciones de medición multipunto de alta velocidad y bajo daño para obtener imágenes de obleas de resistencia High-NA EUV(2) para minimizar el daño de la resistencia y mejorar el rendimiento en la producción en masa.
Hitachi High-Tech GT2000 CD-SEM permitirá mediciones e inspección de alta precisión y alta velocidad en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores avanzados, que son cada vez más miniaturizados y complejos, y contribuirá a mejorar los rendimientos de los clientes en investigación y -desarrollo y producción en masa.
Antecedentes Desarrollo
A medida que evolucionan los procesos de fabricación de dispositivos semiconductores, se están llevando a cabo investigaciones y desarrollo de N2 (nodo de generación de 2 nanómetros) y A14 (nodo de generación de 14 angstrom). Además de la aplicación de la litografía EUV High-NA en dispositivos de última generación, se espera que aumente la complejidad de las estructuras de los dispositivos, como las estructuras GAA(3) y CFET(4).
De ahí la necesidad de adquisición de datos a alta velocidad en una amplia gama de condiciones de medición para medir diversos materiales y estructuras, operación estable y mejoras adicionales en la comparación entre herramientas en las etapas de investigación y producción en masa para el desarrollo de procesos de dispositivos semiconductores de vanguardia. esta incrementando.
Tecnologías clave
1. Voltaje de aceleración ultrabajo de 100 V y funcionalidad de medición multipunto de velocidad ultra alta para procesos EUV de alta NA
En el proceso de litografía High-NA EUV, las resistencias utilizadas son más delgadas y, por lo tanto, para poder medirla con alta precisión, la herramienta de metrología debe causar el menor daño posible a la resistencia. GT2000 logra un daño bajo y una medición de alta precisión al combinar un voltaje de aceleración ultrabajo pionero de 100 V con nuestra funcionalidad patentada de escaneo de alta velocidad. Además, está equipado con un modo de medición multipunto de ultra alta velocidad para determinar rápidamente las condiciones del proceso de fabricación y detectar anomalías en la etapa de investigación y desarrollo.
2. Sistema de detección de alta sensibilidad para estructuras de dispositivos 3D
Los dispositivos 3D con estructuras como GAA, CFET y memoria 3D requieren mediciones de la profundidad de los patrones, los fondos de los agujeros y las zanjas, además de la medición CD convencional. GT2000 está equipado con un nuevo sistema de detección altamente sensible que detecta eficientemente electrones retrodispersados, lo que permite obtener imágenes de alta precisión de estructuras de dispositivos cada vez más complejas y ampliar las posibilidades de nuevas aplicaciones de medición.
3. Nuevas plataformas y nuevos sistemas ópticos electrónicos para mejorar la coincidencia entre herramientas Uno de los requisitos de rendimiento más importantes para CD-SEM, que es responsable del monitoreo del proceso, es que la diferencia en los valores de medición entre múltiples herramientas sea pequeña. La nueva plataforma GT2000 y los sistemas ópticos electrónicos se han rediseñado para eliminar cualquier factor que cause diferencias en los valores de medición, mejorando así la coincidencia entre herramientas.
Al ofrecer GT2000, así como nuestros sistemas de metrología que utilizan tecnología de haz de electrones y nuestros sistemas ópticos de inspección de obleas, Hitachi High-Tech está trabajando para satisfacer las diversas necesidades de los clientes en procesamiento, medición e inspección durante todo el proceso de fabricación de semiconductores. Continuaremos brindando soluciones innovadoras y mejoradas digitalmente a nuestros productos para los próximos desafíos tecnológicos y crearemos nuevo valor junto con nuestros clientes, además de contribuir a la fabricación de vanguardia.
Sitio web para GT2000
https://www.hitachi-hightech.com/global/en/products/semiconductor-manufacturing/cd- sem/metrología-solución/semi-gt2000.html
Vídeo de introducción para GT2000
https://bcove.video/3TltYkl
(1) CD-SEM (microscopio electrónico de barrido de dimensiones críticas): equipo diseñado para realizar mediciones de alta precisión de las dimensiones de patrones de circuitos semiconductores finos formados en obleas.
(2) High-NA (Numerical Aperture) EUV (Extreme Ultraviolet): Equipo de litografía ultravioleta extremo (longitud de onda de 13.5 nm) con una apertura numérica mejorada en comparación con los equipos convencionales.
(3) GAA (Gate All Around): una estructura de transistor en la que la puerta cubre completamente el canal.
(4) CFET (Transistor de efecto de campo complementario): un transistor de efecto de campo complementario en el que se apilan dispositivos de tipo n y tipo p.
Acerca de Hitachi High-Tech Corporation
Hitachi High-Tech Corporation, con sede en Tokio, Japón, participa en actividades en una amplia gama de campos, incluida la fabricación y venta de analizadores clínicos, productos biotecnológicos e instrumentos analíticos, equipos de fabricación de semiconductores y equipos de análisis. y proporcionando soluciones de alto valor añadido en los campos de las infraestructuras sociales e industriales y la movilidad, etc.
Los ingresos consolidados de la empresa para el año fiscal 2022 fueron de aprox. 674.2 mil millones de yenes. Para más información, visitehttps://www.hitachi-hightech.com/global/en/
Contacto:
Takumichi Sutani
Departamento de Planificación Comercial, División de Sistemas de Metrología,
Grupo empresarial de soluciones de nanotecnología, Hitachi High-Tech Corporation Contáctenos: Hitachi High-Tech Corporation (hitachi-hightech.com)
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- Fuente: https://www.jcnnewswire.com/pressrelease/88032/3/
