El diamante dopado con boro (BDD) tiene un gran potencial en aplicaciones de detección electroquímica y eléctrica. Los parámetros de crecimiento, los sustratos y el método de síntesis juegan un papel vital en la preparación de BDD semiconductor a BDD metálico. El dopaje de otros elementos junto con el boro (B) en diamante demostró una eficacia mejorada del dopaje B y propiedades excepcionales.*

En el artículo "Influencia del co-dopaje B/N en las propiedades eléctricas y fotoluminiscentes de películas de diamante homoepitaxial cultivadas por CVDSrinivasu Kunuku, Mateusz Ficek, Aleksandra Wieloszynska, Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Krzysztof Gajewski, Miroslaw Sawczak, Aneta Lewkowicz, Jacek Ryl, Tedor Gotszalk y Robert Bogdanowicz describen cómo se ha sintetizado diamante co-dopado con B y nitrógeno (N) en monocristalino. sustratos de diamante (SCD) IIa y SCD Ib en un proceso de deposición de vapor químico asistido por plasma de microondas.*

La topografía superficial de las capas de diamante CVD se investigó mediante microscopía de fuerza atómica (AFM), y se empleó microscopía de fuerza de sonda Kelvin (KPFM) para medir la diferencia de potencial de contacto (CPD) para calcular la función de trabajo de estas capas de diamante CVD.*

La topografía de microscopía de fuerza atómica representó la superficie plana y lisa con baja rugosidad superficial para el dopaje bajo B, mientras que se observaron características superficiales como estructuras montañosas y cristales de diamante no epitaxiales con alta rugosidad superficial para concentraciones altas de dopaje B. Las mediciones de KPFM revelaron que la función de trabajo (4.74–4.94 eV) no ha variado significativamente para el diamante CVD sintetizado con diferentes concentraciones de B/C.*

nanomundo FLECHA-EFM Se utilizaron sondas conductoras de AFM recubiertas de platino-mirdidio5 con una constante de resorte típica de 2.8 N/m y una frecuencia de resonancia típica de 75 kHz.*

*Srinivasu Kunuku, Mateusz Ficek, Aleksandra Wieloszynska, Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Krzysztof Gajewski, Miroslaw Sawczak, Aneta Lewkowicz, Jacek Ryl, Tedor Gotszalk y Robert Bogdanowicz
Influencia del co-dopaje B/N en las propiedades eléctricas y fotoluminiscentes de películas de diamante homoepitaxial cultivadas por CVD
Nanotecnología (2022), 33 125603
DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac4130

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Acceso Abierto El artículo “Influencia del co-dopaje B/N en las propiedades eléctricas y fotoluminiscentes de películas de diamante homoepitaxial cultivadas por CVD” de Srinivasu Kunuku, Mateusz Ficek, Aleksandra Wieloszynska, Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Krzysztof Gajewski, Miroslaw Sawczak, Aneta Lewkowicz, Jacek Ryl, Tedor Gotszalk y Robert Bogdanowicz tiene una licencia internacional Creative Commons Attribution 4.0, que permite usar, compartir, adaptación, distribución y reproducción en cualquier medio o formato, siempre que dé el crédito apropiado al autor o autores originales y la fuente, proporcione un enlace a la licencia Creative Commons e indique si se realizaron cambios. Las imágenes u otro material de terceros en este artículo están incluidos en la licencia Creative Commons del artículo, a menos que se indique lo contrario en una línea de crédito al material. Si el material no está incluido en la licencia Creative Commons del artículo y su uso previsto no está permitido por la regulación legal o excede el uso permitido, deberá obtener el permiso directamente del titular de los derechos de autor. Para ver una copia de esta licencia, visite http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/.