Investigadores de la Universidad de Washington publicaron un artículo técnico titulado “Diseño de reactor de multiplexación de alto rendimiento para la detección rápida de procesos de deposición de capas atómicas/moleculares”.
Abstracto:
“Se demuestra un enfoque para realizar deposiciones múltiples y simultáneas en un reactor de estilo de deposición de capa atómica/deposición de capa molecular (ALD/MLD) de multiplexación de alto rendimiento. Un sistema de este tipo permite que se ejecuten procesos independientes en paralelo conectando más de una cámara de reacción a recursos compartidos, como una bomba y un colector de reactivo. Los sistemas de control apropiados para los recursos compartidos mantienen la independencia en los parámetros de deposición y las películas resultantes al tiempo que permiten deposiciones al vacío o con un gas portador. Se construye un sistema de ejemplo y se muestra que exhibe uniformidad del proceso y al mismo tiempo evita la contaminación cruzada, como se verifica mediante elipsometría y espectroscopía de fotoelectrones de rayos X. El diseño del reactor puede detectar nuevos procesos de deposición de ALD/MLD más rápidamente que un sistema típico de una cámara sin el costo de capital de un número equivalente de sistemas independientes, acelerando el ritmo de las innovaciones en nanotecnología”.
Encuentra los documento técnico aquí. Publicado en febrero de 2024.
Yuri Choe, Duncan Reece, David S. Bergsman; Diseño de reactor de multiplexación de alto rendimiento para una detección rápida de procesos de deposición de capas atómicas/moleculares. J.vac. Ciencia. Tecnología. A 1 de marzo de 2024; 42 (2): 022402. https://doi.org/10.1116/6.0003354
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Centro de conocimiento: Deposición de capas atómicas (ALD)
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- Fuente: https://semiengineering.com/performing-multiple-simultaneous-depositions-in-a-high-throughput-multiplexing-ald-mld-style-reactor/
