Noticias: Microelectrónica

8 de febrero de 2024

Transphorm Inc de Goleta, cerca de Santa Bárbara, CA, EE. UU., dice que está exhibiendo sus soluciones de conversión de energía de nitruro de galio (GaN) de amplio espectro (de baja a alta potencia) en el stand 1813 de la Conferencia de Electrónica de Potencia Aplicada (APEC 2024) en Long Beach. , CA, EE. UU. (25 a 29 de febrero), en el que es Silver Partner.

Este año, Transphorm destaca innovaciones que incluyen lo que afirma es el primer modelo de dispositivo GaN sobre zafiro de 1200 V y una robustez líder contra cortocircuitos. También se destaca su versátil cartera de dispositivos SuperGaN, incluidos paquetes recientemente anunciados como TO-247-4L, TOLL y TOLT que completan una selección de empaques flexibles para sistemas de mayor potencia que requieren diferentes configuraciones de disipador de calor. Por último, las demostraciones in situ muestran la tecnología de la empresa en una amplia variedad de sistemas de energía, desde fuentes de alimentación bidireccionales e ininterrumpidas de alto rendimiento hasta microinversores de energía solar disruptivos, así como sistemas de vehículos eléctricos de 2 y 3 ruedas.

Transphorm afirma que la capacidad de sus soluciones de GaN para superar a las opciones de la competencia (es decir, GaN en modo mejorado, SiC, silicio) se deriva de la plataforma SuperGaN preparada para el futuro. La empresa fabrica una tecnología GaN en modo de agotamiento normalmente desactivado en cascode. Se dice que esta configuración de diseño permite que los fenómenos inherentes de la plataforma alcancen su máximo potencial. Estos fenómenos incluyen el canal del transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de GaN de gas de electrones bidimensional (2DEG) y el SiO2/Interfaz de puerta Si (creada por el MOSFET de bajo voltaje emparejado con GaN HEMT de Transphorm). El documento técnico publicado recientemente por la compañía que describe estas ventajas se puede descargar desde https://bit.ly/dmodeadvwp.

Transphorm afirma admitir la gama más amplia de requisitos de conversión de energía (de 45 W a más de 10 kW) en la más amplia gama de aplicaciones de energía. Su cartera FET incluye dispositivos de 650 V y 900 V con dispositivos de 1200 V en desarrollo. Estos dispositivos cuentan con la calificación JEDEC y AEC-Q101, lo que los convierte en soluciones óptimas para adaptadores de corriente y fuentes de alimentación de computadoras hasta amplios UPS industriales y sistemas de movilidad de vehículos eléctricos, considera la empresa. La combinación de productos de clientes que se exhiben en APEC subraya la amplia usabilidad de su plataforma SuperGaN, agrega.

En APEC, Transphorm realizará las siguientes presentaciones:

• 26 de febrero: Seminario de educación profesional (S17) a las 8:30 a. m.: 'Dispositivos y aplicaciones de GaN de alta potencia' por Davide Bisi, miembro del equipo técnico, Oficina de la CTO; Philip Zuk, vicepresidente senior de desarrollo empresarial y marketing; y Tushar Dhayagude, vicepresidente de ventas mundiales y FAE;
• 27 de febrero — Seminario de expositores a las 2:15 horas: 'La diferencia SuperGaN: ventajas de los semiconductores de potencia GaN en modo d normalmente apagados' por Jenny Cortez, gerente técnica de ventas;
• 28 de febrero: sesión industrial (IS16.2) a las 1:55 horas: 'Tecnología de interruptor de cuatro cuadrantes GaN para microinversores y motores' por Geetak Gupta, miembro del personal técnico, Oficina del CTO;
• 29 de febrero: sesión industrial (IS22.6) a las 10:55 a. m.: 'Dispositivo GaN de 15 m Ω con tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs' por Davide Bisi PhD, miembro del personal técnico, Oficina de la CTO.

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Tags: Transformar GaN-sobre-Si HEMT de GaN

Visítanos: www.apec-conf.org

Visítanos: www.transphormusa.com

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• Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-080224.shtml