La memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) es una forma muy atractiva de RAM, ya que promete un uso de baja energía con almacenamiento estable a largo plazo, incluso en ausencia de energía externa. Sin embargo, encontrar los materiales adecuados para crear una celda RRAM que incorpore estas características no es fácil, pero recientemente los investigadores han centrado sus esfuerzos en el óxido de galio (III) (Ga2O3), con un artículo de investigación de [Li-Wen Wang] y colegas in Nanomateriales describiendo una celda de dos bits (MLC) basada en una pila de óxido de aluminio, óxido de galio y óxido de grafeno que probaron para determinar una resistencia de más de cien ciclos.
Modelos de filamento del dispositivo Al/GO/Ga2O3/ITO/vidrio. (Crédito: Li-Wen Wang et al., 2023)
La forma en que funciona el óxido de galio en una celda RRAM es formando un filamento conductor formado por las vacantes de oxígeno. Estas vacantes y la ruta conductora resultante están controladas por una corriente aplicada externamente a través de los electrodos superior (Al) e inferior (ITO), con la capa de óxido de grafeno (GO) actuando como fuente de iones de oxígeno.
En una investigación relacionada, [Zhengchun Yang] y sus colegas describieron en un artículo de 2020 in Cerámica Internacional cómo construyeron un dispositivo que consta de almacenamiento de datos RRAM de óxido de galio (III) con un elemento cerámico piezoeléctrico que servía como sensor de presión y fuente de alimentación. La corriente generada por el elemento piezoeléctrico se utiliza para alimentar el dispositivo de memoria y registrar mediciones.
Luego está el algo más salvaje. Idea 'FlexRAM' presentado por [Ruizhi Yuan] y colegas en Materiales avanzados quienes describen cómo crearon un dispositivo que consiste en un polímero flexible llamado 'EcoFlex' con bolsillos para un 'metal líquido a base de galio' para crear un dispositivo de memoria flexible. En estructuras de tamaño milimétrico es difícil ver aplicaciones prácticas para esta tecnología, incluso si el artículo de relaciones públicas asociado in Espectro IEEE se dedica bastante a la especulación sin aliento.
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- Fuente: https://hackaday.com/2024/02/22/using-gallium-oxide-as-a-resistive-memory-element/
