Noticias: Microelectrónica
14 de marzo de 2024
A través de su filial Infineon Technologies Austria AG, Infineon Technologies AG de Munich, Alemania, ha presentado una demanda en el tribunal de distrito del Distrito Norte de California contra la empresa de soluciones energéticas de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) Innoscience (Zhuhai). Technology Co Ltd de Suzhou, China, e Innoscience America Inc y sus filiales. Infineon solicita una orden judicial permanente por infracción de una patente estadounidense relacionada con la tecnología de nitruro de galio (GaN) propiedad de Infineon. Las reivindicaciones de patente cubren aspectos centrales de los semiconductores de potencia GaN y abarcan innovaciones que permiten la confiabilidad y el rendimiento de los dispositivos GaN patentados de Infineon.
Infineon alega que Innoscience infringe la patente al fabricar, utilizar, vender, ofrecer vender y/o importar a los EE. UU. diversos productos, incluidos transistores GaN para numerosas aplicaciones, en automoción, centros de datos, energía solar, motores, electrónica de consumo y productos relacionados. Productos utilizados en aplicaciones automotrices, industriales y comerciales.
"La producción de transistores de potencia de nitruro de galio requiere diseños y procesos de semiconductores completamente nuevos", afirma Adam White, presidente de la División de Sistemas de Sensores y Potencia de Infineon. "Protegemos enérgicamente nuestra propiedad intelectual y así actuamos en interés de todos los clientes y usuarios finales", añade. Infineon dice que ha estado invirtiendo en I+D, desarrollo de productos y experiencia en fabricación relacionada con la tecnología GaN durante décadas, y que continúa defendiendo su propiedad intelectual y protegiendo sus inversiones.
El 24 de octubre de 2023, Infineon anunció el cierre de la adquisición de GaN Systems Inc de Ottawa, Ontario, Canadá (un desarrollador sin fábrica de semiconductores de conmutación de potencia basados en nitruro de galio para aplicaciones de control y conversión de energía), ampliando su posición en semiconductores de potencia. La cartera de patentes de GaN de Infineon comprende alrededor de 350 familias de patentes. Los analistas de mercado esperan que los ingresos de GaN para aplicaciones de energía aumenten a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 49% a aproximadamente 2 mil millones de dólares para 2028 (según 'Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023' de la firma de investigación de mercado Yole). .
Infineon completa la adquisición de GaN Systems
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-140324.shtml
