Noticias: Microelectrónica
22 de febrero de 2024
Para su tercer trimestre fiscal de 2024 (hasta finales de diciembre de 2023), Transphorm Inc de Goleta, cerca de Santa Bárbara, CA, EE. UU., que diseña y fabrica transistores de efecto de campo de nitruro de galio (GaN) con certificación JEDEC y AEC-Q101 ( FET) para la conversión de energía de alto voltaje, ha reportado ingresos de 4 dólares. 67 millones, un 3.9% más que los 4.49 millones de dólares de hace un año, pero un 6.8% menos que los 5 millones de dólares del último trimestre.
Los ingresos por productos fueron de 3.2 millones de dólares, un 11 % menos que el último trimestre y un 20 % menos que hace un año, debido a la reducción de la demanda a corto plazo. Los ingresos del gobierno fueron de 1.5 millones de dólares, aproximadamente al mismo nivel que el último trimestre, pero un 180% más que hace un año.
El margen bruto fue del 1.6%, una mejora respecto al –59.4% de hace un año, pero inferior al 23.4% del último trimestre, afectado por un ajuste del impuesto al consumo de 250,000 dólares y 170,000 dólares en chatarra no recurrente.
Sobre una base no GAAP, los gastos operativos han aumentado aún más, de 6.42 millones de dólares el último trimestre a 7.35 millones de dólares. Sin embargo, este aumento se debe en gran medida a los gastos legales relacionados con el acuerdo definitivo anunciado el 10 de enero para que Transphorm sea adquirida por una filial de Renesas Electronics Corp, con sede en Japón, por unos 339 millones de dólares.
La pérdida neta fue de 10 millones de dólares (0.20 dólares por acción), frente a los 7.13 millones de dólares (0.12 dólares por acción) del último trimestre, pero se redujo ligeramente con respecto a los 10.46 millones de dólares (0.18 dólares por acción) de hace un año.
El EBITDA ajustado fue de -6.9 millones de dólares (0.11 dólares por acción), en comparación con los -4.98 millones de dólares (0.08 dólares por acción) del último trimestre, pero una mejora con respecto a los -8.52 millones de dólares (0.15 dólares por acción) de hace un año.
Durante el trimestre, el efectivo, los equivalentes de efectivo y el efectivo restringido aumentaron de 6.152 millones de dólares a 7.95 millones de dólares. Sin embargo, esto fue sólo después de que Transphorm recaudara 3 millones de dólares mediante el ejercicio de warrants existentes y 2.1 millones de dólares de deuda a corto plazo.
"Si bien los ingresos por productos del tercer trimestre disminuyeron marginalmente de forma secuencial, continuamos experimentando un fuerte impulso en la construcción de nuestra cartera de ingresos y la obtención de diseños", dice el director ejecutivo y cofundador Primit Parikh.
Los aspectos más destacados durante el trimestre se enumeran como:
Segmento de alta potencia
- Se aumentó el total de diseños para mayor potencia (300 W–7.5 kW) a más de 120 (con más de 35 en producción), un aumento del 20 % con respecto a la actualización anterior de 100 en noviembre.
- Se anunciaron dos nuevos dispositivos SuperGaN en un paquete TO-4 de 247 conductores, un reemplazo directo para los FET de SiC que ofrece una resistencia de encendido de 35 mΩ y 50 mΩ y el beneficio de capacidades de conmutación más eficientes con un 25 % menos de pérdidas de energía en recientes internaciones. pruebas, aumentando las oportunidades de penetración de sockets con soluciones nuevas y existentes.
- Anunció una colaboración con el controlador de puerta aislada AHV85110 de Allegro MicroSystem y los FET SuperGaN de Transphorm para aumentar el rendimiento del sistema de energía GaN para aplicaciones de alta potencia, utilizando el dispositivo TOLL de 650 V/70 mΩ lanzado recientemente por Transphorm.
- Se lanzaron tres FET Transphorm en paquetes TOLL de dispositivos de montaje superficial (SMD) que admiten aplicaciones de mayor potencia para aplicaciones de inteligencia artificial (IA) que consumen mucha energía, energía de servidores, energía y mercados industriales, posicionando a GaN como dispositivos óptimos para estas potencias de clase kilovatios. aplicaciones hambrientas y demostrando su confiabilidad dinámica de alto voltaje y alta potencia.
- Se lanzó el SuperGaN TOLT FET, que se afirma que es el primer dispositivo GaN de montaje en superficie refrigerado por la parte superior de la industria en el paquete TOLT estándar JEDEC (MO-332), que ofrece un rendimiento térmico y eléctrico superior para informática, inteligencia artificial, energía y sistemas de energía automotriz.
- Se lanzaron dos diseños de referencia de cargadores de baterías para aplicaciones de carga de vehículos eléctricos (EV), adecuados para vehículos eléctricos de dos y tres ruedas.
- En camino de recibir muestras de ingeniería de 1200 V para mediados del año calendario 2024.
Segmento de baja potencia
- Aumentó el total de diseños para adaptadores de corriente y cargadores rápidos (<300 W) a más de 125 (con más de 30 en producción), un aumento en los diseños en curso del 8 % desde la actualización anterior en noviembre de 115.
- Anunció con Weltrend Semiconductor Inc un diseño de referencia de adaptador de corriente PD USB-C de 100 W, que utiliza el sistema en paquete SuperGaN WT7162RHUG24A de Transphorm para lograr una eficiencia del 92.7 % en una topología de retorno cuasi resonante.
Renesas adquirirá el fabricante de dispositivos GaN Transphorm por 339 millones de dólares
Los ingresos por productos de Transphorm durante todo el año crecen un 21%
Los ingresos por productos de Transphorm crecen un 25% en el trimestre de diciembre
Transformar GaN-sobre-Si HEMT de GaN
- Distribución de relaciones públicas y contenido potenciado por SEO. Consiga amplificado hoy.
- PlatoData.Network Vertical Generativo Ai. Empodérate. Accede Aquí.
- PlatoAiStream. Inteligencia Web3. Conocimiento amplificado. Accede Aquí.
- PlatoESG. Carbón, tecnología limpia, Energía, Ambiente, Solar, Gestión de residuos. Accede Aquí.
- PlatoSalud. Inteligencia en Biotecnología y Ensayos Clínicos. Accede Aquí.
- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-220224.shtml
