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Etiqueta: transistores de efecto de campo

Túneles banda a banda y resistencia diferencial negativa en heterouniones construidas íntegramente con materiales 2D

Investigadores del Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf (HZDR), TU Dresden,...

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Los FET EPC GaN ofrecen densidad de potencia y eficiencia para convertidores CC/CC informáticos, industriales y de consumo.

Noticias: Microelectrónica 14 de febrero de 2024 Efficient Power Conversion Corp (EPC) de El Segundo, CA, EE. UU., que fabrica nitruro de galio en modo mejorado...

Transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono para resolver la cinética de unión de aptámero-ligando de una sola molécula – Nature Nanotechnology

Meneses, A. & Liy-Salmeron, G. Serotonina y emoción, aprendizaje y memoria. Rev. Neurociencias. 23, 543–553 (2012).Artículo CAS ...

Perovskitas de estaño heterodimensionales epitaxiales con recubrimiento por rotación para diodos emisores de luz – Nature Nanotechnology

Tan, Z.-K. et al. Diodos emisores de luz brillante a base de perovskita de haluro organometálico. Nat. Nanotecnología. 9, 687–692 (2014).Artículo CAS ...

Una integración potencialmente compatible con CMOS de FET reconfigurables basados ​​en láminas de heteroestructura de Al-Si-Al

Investigadores de la Universidad Técnica de Viena publicaron un artículo técnico titulado "Transistores de efecto de campo de Si reconfigurables con estados activados simétricos que permiten la lógica combinacional y complementaria adaptativa"...

Renesas adquirirá el fabricante de dispositivos GaN Transphorm por 339 millones de dólares

Noticias: Microelectrónica 11 de enero de 2024 Transphorm Inc de Goleta, CA, EE. UU. será adquirida por una subsidiaria de Renesas Electronics Corp...

Integración a gran escala de materiales 2D como canal semiconductor en un procesador en memoria (EPFL)

Investigadores de la École Polytechnique Fédérale publicaron un artículo técnico titulado “Un procesador integrado de multiplicación de matrices vectoriales a gran escala basado en memorias de disulfuro de molibdeno monocapa”...

Los láseres ultrarrápidos mapean los electrones que se vuelven balísticos en el grafeno con implicaciones para los dispositivos electrónicos de próxima generación

15 de diciembre de 2023 (Nanowerk News) La investigación que aparece en ACS Nano ("Observación espaciotemporal del transporte cuasi-balístico de electrones en grafeno") revela el movimiento balístico de los electrones...

A*STAR y centrotherm se asocian en tecnología de carburo de silicio de 200 mm

Noticias: Microelectrónica 15 de diciembre de 2023 Se ha anunciado una asociación que combina la línea piloto de investigación y desarrollo abierta de carburo de silicio (SiC) de 200 mm de...

La ruta de conducción asimétrica y la redistribución del potencial determinan la conductividad dependiente de la polarización en ferroeléctricos en capas – Nature Nanotechnology

Wang, S. y col. Dispositivos bidimensionales e integración hacia las líneas de silicio. Nat. Madre. 21, 1225–1239 (2022).Artículo CAS...

Matriz de memoria ferroeléctrica apilada compuesta por transistores de efecto de campo ferroeléctrico de activación lateral

Investigadores de Samsung Electronics publicaron un artículo técnico titulado “Transistor de efecto de campo ferroeléctrico de compuerta lateral (LG-FeFET) que utiliza α-In2Se3 para una matriz informática apilada en memoria”...

EPC lanza el diseño de referencia del inversor de accionamiento de motor BLDC trifásico basado en FET eGaN de 100 V

Noticias: Microelectrónica 3 de noviembre de 2023 Efficient Power Conversion Corp (EPC) de El Segundo, CA, EE. UU., que fabrica nitruro de galio en modo mejorado sobre silicio (eGaN)...

Investigadores de TU Dresden desarrollan soluciones altamente innovadoras para la detección de patógenos virales

El estallido de la pandemia de COVID en 2020 ha demostrado una vez más lo importantes que son los métodos de detección fiables y rápidos para iniciar medidas eficaces...

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