Un artículo técnico titulado “Caracterización eléctrica de WSe de puertas múltiples2 / MoS2 van der Waals heterounctions” fue publicado por investigadores del Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf (HZDR), TU Dresden, el Instituto Nacional de Ciencia de Materiales (Japón) y NaMLab gGmbH.
Compendio
“El apilamiento vertical de diferentes materiales bidimensionales (2D) en heteroestructuras de van der Waals aprovecha las propiedades de los materiales individuales, así como su acoplamiento entre capas, exhibiendo así propiedades eléctricas y ópticas únicas. Aquí, estudiamos e investigamos un sistema que consta enteramente de diferentes materiales 2D para la implementación de dispositivos electrónicos que se basan en el transporte de túneles de banda a banda de la mecánica cuántica, como diodos de túnel y transistores de efecto de campo de túnel. Fabricamos y caracterizamos heterouniones de van der Waals basadas en capas semiconductoras de WSe.2 y MoS2 empleando diferentes configuraciones de puerta para analizar las propiedades de transporte del cruce. Descubrimos que el entorno dieléctrico del dispositivo es crucial para lograr el transporte de túneles a través de la heterounión al reemplazar los dieléctricos de óxido grueso con capas delgadas de nitruro de boro hexagonal. Con la ayuda de puertas superiores adicionales implementadas en diferentes regiones de nuestro dispositivo de heterounión, se vio que las propiedades de túnel, así como las barreras Schottky en las interfaces de contacto, podían ajustarse de manera eficiente mediante el uso de capas de grafeno como material de contacto intermedio”.
Encuentra la técnica papel aqui. Publicado en marzo de 2024.
Chava, P., Kateel, V., Watanabe, K. et al. Caracterización eléctrica de heterouniones WSe2/MoS2 van der Waals de puertas múltiples. Informe científico 14, 5813 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x.
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- Fuente: https://semiengineering.com/band-to-band-tunneling-and-negative-differential-resistance-in-heterojunctions-built-entirely-using-2d-materials/
