Noticias: Microelectrónica
15 de diciembre 2023
Se ha anunciado una asociación que combina la línea piloto de I+D abierta de carburo de silicio (SiC) de 200 mm del Instituto de Microelectrónica (IME) de la Agencia de Ciencia, Tecnología e Investigación (A*STAR) de Singapur con las herramientas de difusión y recocido de centrotherm International AG. de Blaubeuren, Alemania.
En comparación con los semiconductores tradicionales basados en silicio, la mayor eficiencia energética y las mayores frecuencias de conmutación de los semiconductores basados en SiC permiten construir módulos de electrónica de potencia más pequeños. Los módulos de potencia basados en SiC se pueden encontrar en una amplia gama de aplicaciones de energía, como vehículos eléctricos (EV), trenes eléctricos, centros de datos y redes eléctricas. Sin embargo, los sustratos de SiC presentan actualmente una gran cantidad de defectos que es necesario gestionar con habilidad.
La colaboración tiene como objetivo aprovechar las capacidades de integración de procesos y caracterización de dispositivos de IME y las herramientas especializadas de centrotherm para desarrollar procesos térmicos para la fabricación de dispositivos basados en SiC, como la optimización de la formación de óxido en zanjas y puertas, para mejorar el rendimiento y la confiabilidad de los dispositivos basados en SiC. como transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) y diodos. Como parte de la asociación, centrotherm establecerá un equipo tecnológico dedicado en Singapur para ofrecer conocimientos tecnológicos, recetas de procesos y soporte in situ.
Imagen: Solución de tecnología MOSFET de SiC integrada desarrollada por el Instituto de Microelectrónica de A*STAR y centrotherm (imagen cortesía de A*STAR y centrotherm).
"A través de la combinación de la línea piloto de I+D de SiC de 200 mm de IME con las herramientas avanzadas de centrotherm, podemos acelerar la I+D para abordar mejor las necesidades de la industria", afirma Terence Gan, director ejecutivo de IME de A*STAR.
"La visión, la experiencia y los recursos compartidos de ambas organizaciones prometen impulsar la innovación, elevar los estándares de la industria y fomentar el crecimiento local en el campo de la fabricación de semiconductores", afirma Helge Haverkamp, director de tecnología de centrotherm. "A medida que avanzamos hacia el futuro del SiC y la electrónica de potencia, planeamos mejorar aún más la especialización en difusión y recocido en módulos de proceso de banda ancha y ampliar la experiencia en SiC, GaN y otros materiales innovadores de banda ancha".
LPE y IME de A*STAR desarrollarán procesos de epitaxia especiales y SiC de 200 mm de alta calidad
www.a-star.edu.sg/ime/Research/power-electronics
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/dec/astar-centrotherm-151223.shtml
