Logotipo de Zephyrnet

Etiqueta: banda prohibida

El Reino Unido se convierte en Estado participante en la Empresa Conjunta de Chips de la UE y accede a una financiación colaborativa de investigación de Horizonte Europa de 1.3 millones de euros

Noticias: Microelectrónica 15 de marzo de 2024 El Reino Unido se ha unido a la 'Empresa Conjunta de Chips' de la Unión Europea como estado participante, proporcionando semiconductores británicos...

Top News

Fabricación en un solo paso de nanopartículas de galio líquido mediante interacción capilar para colores estructurales dinámicos – Nature Nanotechnology

Tittl, A. Colores estructurales ajustables en exhibición. Ciencia ligera. Aplica. 11, 155 (2022). Artículo CAS PubMed...

Navitas celebra su décimo aniversario

Noticias: Microelectrónica 15 de febrero de 2024 En una serie de eventos durante 2024, comenzando con la IEEE Applied Power Electronics Conference &...

El Centro de Innovación y Conocimiento REWIRE del Reino Unido, valorado en 11 millones de libras esterlinas, desarrollará electrónica de potencia de alto voltaje con banda prohibida amplia/ultra ancha

Noticias: Microelectrónica 8 de febrero de 2024 Con una financiación de 11 millones de libras esterlinas del Consejo de Investigación en Ingeniería y Ciencias Físicas del Reino Unido (EPSRC) e Innovate...

Qorvo lanza FET de SiC de 9 m y 750 V calificado para automoción en paquete D2PAK-7L

Noticias: Microelectrónica 5 de febrero de 2024 Qorvo Inc de Greensboro, Carolina del Norte, EE. UU. (que proporciona tecnologías centrales y soluciones de RF para dispositivos móviles, infraestructura y...

JEDEC publica directrices para la evaluación de la confiabilidad de polarización inversa de dispositivos de conversión de energía GaN

Noticias: Microelectrónica 30 de enero de 2024 La Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC (que desarrolla estándares para la industria de la microelectrónica) ha publicado 'JEP198:...

El semiconductor basado en grafeno tiene una banda prohibida útil y una alta movilidad de electrones – Physics World

Investigadores de China y Estados Unidos han creado un semiconductor funcional hecho de grafeno, una hazaña que describen como una novedad. Al expandir...

Infineon y Anker abren un centro conjunto de aplicaciones de innovación en Shenzhen

Noticias: Microelectrónica 26 de enero de 2024 Infineon Technologies AG de Munich, Alemania, ha anunciado su Centro de Aplicaciones de Innovación conjunto en Shenzhen con...

Renesas adquirirá el fabricante de dispositivos GaN Transphorm por 339 millones de dólares

Noticias: Microelectrónica 11 de enero de 2024 Transphorm Inc de Goleta, CA, EE. UU. será adquirida por una subsidiaria de Renesas Electronics Corp...

Luminus llevará los semiconductores de potencia SiC y GaN de Sanan al mercado americano

Noticias: Microelectrónica 10 de enero de 2024 El proveedor de materiales semiconductores de potencia, componentes y servicios de fundición de banda ancha Sanan Semiconductor Co Ltd de Hunan, China, tiene...

Las capas de transporte especialmente diseñadas desacoplan el espesor de la perovskita de las limitaciones de eficiencia

27 de diciembre de 2023 (Nanowerk Spotlight) Los investigadores llevan mucho tiempo intentando maximizar la eficiencia de las células solares de perovskita minimizando al mismo tiempo los costes de producción. Películas de células solares más delgadas...

Pronóstico de vehículos eléctricos para 2024: la cadena de suministro, la red de carga y el mercado de materiales para baterías

Para el sector de los vehículos eléctricos, en 2023 el consumo disminuyó preferencias por los vehículos eléctricos, varias startups prometedoras fracasan en el camino, una disminución en los costos de los materiales de la batería y...

A*STAR y centrotherm se asocian en tecnología de carburo de silicio de 200 mm

Noticias: Microelectrónica 15 de diciembre de 2023 Se ha anunciado una asociación que combina la línea piloto de investigación y desarrollo abierta de carburo de silicio (SiC) de 200 mm de...

Información más reciente

punto_img
punto_img