Noticias: Microelectrónica
30 de enero de 2024
La Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC (que desarrolla estándares para la industria microelectrónica) ha publicado 'JEP198: Guía para procedimientos de evaluación de confiabilidad de polarización inversa para dispositivos de conversión de energía de nitruro de galio'. Desarrollado por el Subcomité de Nitruro de Galio JC-70.1 del Comité de Semiconductores de Conversión de Energía de Banda Gap Amplia JC-70 de JEDEC (que se formó en octubre de 2017 con 23 empresas miembros, llegando a más de 80 ahora), JEP198 está disponible para su descarga gratuita desde el sitio web de JEDEC.
JEP198 presenta pautas para evaluar la confiabilidad de la ruptura dependiente del tiempo (TDB) de los transistores de potencia GaN. Es aplicable a soluciones de energía integradas de GaN en modo de mejora planar, modo de agotamiento y transistores de potencia de GaN cascode.
La publicación cubre las condiciones de tensión sugeridas y los parámetros de prueba relacionados para evaluar la confiabilidad TDB de los transistores de potencia GaN utilizando la polarización fuera de estado. Las condiciones de tensión y los parámetros de prueba tanto para la tensión de polarización inversa a alta temperatura como para las pruebas de tensión de aplicación específica están diseñados para evaluar la confiabilidad de los transistores GaN durante su vida útil en condiciones de tensión aceleradas.
“Nos volvemos cada vez más dependientes de la electrónica de potencia en todos los aspectos de nuestra vida diaria. Como tal, las tecnologías detrás de esos sistemas están avanzando y también deben hacerlo los procesos de calificación específicos de los dispositivos. La nueva Guía centrada en GaN para la evaluación de la confiabilidad del sesgo inverso es un paso crítico para lograr ese objetivo”, dice Ron Barr, vicepresidente de calidad y confiabilidad de Transphorm y copresidente del Grupo de trabajo 701_1. "Este fue un esfuerzo de colaboración realizado tanto por los fabricantes de semiconductores como de productos finales de GaN... Es un marco importante para garantizar la uniformidad entre industrias que, al final, brindará a los fabricantes de sistemas de energía la confianza necesaria al diseñar con dispositivos de GaN", afirmó. añade.
“Con el auge de las energías renovables y la electrificación de nuestras vidas, la eficiencia de los semiconductores de potencia se está volviendo más crítica. Aquí es donde los semiconductores de potencia GaN han demostrado ser una tecnología valiosa. La Guía para la evaluación de la confiabilidad de polarización inversa es otro paso para mejorar la confianza en la tecnología GaN y los productos que están en el mercado y que se comercializan”, dice el Dr. Kurt Smith, presidente de JC-70.1, vicepresidente de confiabilidad y calificación de VisIC Technologies. “Este documento fue desarrollado gracias a la colaboración del equipo multicorporativo de expertos de la industria para representar las mejores prácticas para evaluar dispositivos GaN. Fue un largo proceso de varios años para llegar a un consenso, y el equipo es digno de elogio por la calidad del documento y todo el arduo trabajo que se realizó en él”.
La próxima reunión del comité JC-70 se llevará a cabo el 26 de febrero durante la Conferencia y Exposición de Electrónica de Potencia Aplicada (APEC 2024) en Long Beach, CA, EE. UU.
El comité de semiconductores de potencia de banda ancha del JEDEC publica el primer documento
www.jedec.org/standards-documents/docs/jep198
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/jedec-300124.shtml
