Logotipo de Zephyrnet

Etiqueta: Semiconductor de potencia

Financiación británica de 14 millones de libras esterlinas para equipos de embalaje y prueba de semiconductores de potencia de acceso abierto

Noticias: Microelectrónica 28 de marzo de 2024 El gobierno del Reino Unido ha anunciado una inversión de £16.6 millones para brindar a los investigadores y empresas de semiconductores acceso a nuevos...

Top News

SemiQ agrega configuración de puente completo al módulo MOSFET de SiC QSiC de 1200 V

Noticias: Microelectrónica 19 de febrero de 2024 SemiQ Inc de Lake Forest, CA, EE. UU., que diseña, desarrolla y fabrica energía de carburo de silicio (SiC)...

Navitas celebra su décimo aniversario

Noticias: Microelectrónica 15 de febrero de 2024 En una serie de eventos durante 2024, comenzando con la IEEE Applied Power Electronics Conference &...

Qorvo lanza FET de SiC de 9 m y 750 V calificado para automoción en paquete D2PAK-7L

Noticias: Microelectrónica 5 de febrero de 2024 Qorvo Inc de Greensboro, Carolina del Norte, EE. UU. (que proporciona tecnologías centrales y soluciones de RF para dispositivos móviles, infraestructura y...

JEDEC publica directrices para la evaluación de la confiabilidad de polarización inversa de dispositivos de conversión de energía GaN

Noticias: Microelectrónica 30 de enero de 2024 La Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC (que desarrolla estándares para la industria de la microelectrónica) ha publicado 'JEP198:...

Infineon y Anker abren un centro conjunto de aplicaciones de innovación en Shenzhen

Noticias: Microelectrónica 26 de enero de 2024 Infineon Technologies AG de Munich, Alemania, ha anunciado su Centro de Aplicaciones de Innovación conjunto en Shenzhen con...

Mitsubishi Electric probará los nuevos módulos de potencia de silicio y SiC de la serie J3

Noticias: Microelectrónica 23 de enero de 2024 Mitsubishi Electric Corp, con sede en Tokio, lanzará seis nuevos módulos semiconductores de potencia de la serie J3 para varios vehículos eléctricos...

SemiQ presenta módulos MOSFET QSiC de 1200 V en APEC

Noticias: Microelectrónica 23 de enero de 2024 En el stand n.° 2245 de la Conferencia de electrónica de potencia aplicada (APEC 2024) en Long Beach, CA (25-29...

Renesas adquirirá el fabricante de dispositivos GaN Transphorm por 339 millones de dólares

Noticias: Microelectrónica 11 de enero de 2024 Transphorm Inc de Goleta, CA, EE. UU. será adquirida por una subsidiaria de Renesas Electronics Corp...

Luminus llevará los semiconductores de potencia SiC y GaN de Sanan al mercado americano

Noticias: Microelectrónica 10 de enero de 2024 El proveedor de materiales semiconductores de potencia, componentes y servicios de fundición de banda ancha Sanan Semiconductor Co Ltd de Hunan, China, tiene...

Key Foundry de Corea del Sur cambia de nombre a SK keyfoundry

Noticias: Microelectrónica 3 de enero de 2024 Tras la aprobación de los accionistas, Key Foundry de Cheongju, Corea del Sur, que ofrece fundición especializada de señales mixtas y analógicas...

SemiQ agrega variantes de 5 mΩ, 10 mΩ y 20 mΩ en paquetes de medio puente a la gama QSiC de módulos de potencia MOSFET de 1200 V

Noticias: Microelectrónica 15 de diciembre de 2023 SemiQ Inc de Lake Forest, CA, EE. UU., que diseña, desarrolla y fabrica semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC)...

Más actores exhiben una estrategia IP común para tecnologías de energía y RF GaN

Noticias: Microelectrónica 11 de diciembre de 2023 En un nuevo informe de propiedad intelectual (IP) de la electrónica de GaN publicado por Technology Intelligence and IP...

Información más reciente

punto_img
punto_img