Noticias: Microelectrónica
23 de enero de 2024
En el stand 2245 de la Conferencia de Electrónica de Potencia Aplicada (APEC 2024) en Long Beach, CA (del 25 al 29 de febrero), SemiQ Inc de Lake Forest, CA, EE. UU., que diseña, desarrolla y fabrica semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) y Obleas epitaxiales de SiC de 150 mm para dispositivos semiconductores de potencia de alta frecuencia, alta temperatura y alta eficiencia: presenta una nueva cartera de módulos MOSFET QSiC de 1200 V, que están diseñados para operar de manera confiable en condiciones desafiantes y permitir una implementación de alto rendimiento y alta densidad mientras minimizando las pérdidas tanto dinámicas como estáticas. Elaborados con cerámica de alto rendimiento, los módulos están disponibles en opciones SOT-227, medio puente y puente completo.
Los nuevos módulos QSiC MOSFET admiten una variedad de aplicaciones de energía industriales y automotrices donde la eficiencia, la densidad de potencia y el rendimiento son criterios de diseño críticos. Estos incluyen carga de vehículos eléctricos (EV), cargadores a bordo (OBC), convertidores CC-CC, compresores electrónicos, convertidores de pilas de combustible, suministros de energía médicos, sistemas de almacenamiento de energía, sistemas de energía solar y eólica, suministros de energía para centros de datos y Circuitos UPS/PFC.
"Nuestros módulos de potencia destacan no sólo por su alto rendimiento, sino también por las rigurosas pruebas que garantizan la fiabilidad", afirma el presidente, el Dr. Timothy Han. “Todos los módulos se han sometido a pruebas que superan los 1350 V. Desde pruebas de funcionamiento de puertas hasta pruebas de estrés como HTRB y H3TRB, priorizamos la estabilidad y la calidad”.
SemiQ lanza MOSFET SiC de 1200 V y 40 mΩ
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/semiq-230124.shtml
