Navitas celebra su décimo aniversario

15 de febrero de 2024

En una serie de eventos durante 2024, comenzando con la Conferencia y Exposición de Electrónica de Potencia Aplicada IEEE (APEC 2024) y 'GaNFast Blast!' celebración en Long Beach, CA, EE. UU. a partir del 26 de febrero, la empresa de tecnología de circuitos integrados de energía de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) Navitas Semiconductor Corp de Torrance, CA, EE. UU. celebra 10 años de innovación y crecimiento en una amplia gama de tecnologías rápidas. -mercados en crecimiento, desde carga móvil ultrarrápida hasta centros de datos de inteligencia artificial (IA), energía renovable y vehículos eléctricos.

“Desde un avance hasta una oferta pública inicial de más de mil millones de dólares en un tiempo récord y una presencia mundial con un equipo altamente calificado de 1 personas, hasta ahora hemos entregado más de 300 millones de dispositivos y ahorrado más de 150 toneladas de CO.2”, dice el director ejecutivo y cofundador Gene Sheridan. "Los premios al crecimiento de Deloitte y Forbes destacan el crecimiento de nuestros ingresos y una orientación a largo plazo para crecer muchas veces más rápido que el mercado", añade.

"Desde nuestra fundación en 2014 como pioneros en semiconductores de potencia de próxima generación, Navitas ha acumulado más de 250 patentes en tecnologías de 'banda prohibida amplia', nitruro de galio y carburo de silicio, además de controladores de alta velocidad y aisladores digitales patentados", señala cofundador y director de operaciones/director de tecnología Dan Kinzer. "La tecnología de vanguardia, el talento clave y la pasión por la innovación son factores críticos en el éxito de Navitas hasta la fecha, y una base sólida para una mayor tecnología y un liderazgo continuo en el mercado".

Con cada nueva generación de GaN IC en sólo 15 a 18 meses, Navitas cita los hitos de la tecnología GaN durante su primera década, incluido el lanzamiento del primer IC de potencia GaNFast integrado del mundo; GaNSense: el primer chip GaN integrado con detección de corriente de precisión; GaNSafe: el dispositivo de energía GaN más protegido para sistemas de alta confiabilidad; y la presentación de una nueva plataforma de circuitos integrados de potencia GaN bidireccional con un tamaño de chip hasta 9 veces más pequeño que los MOSFET o IGBT de silicio heredados.

Para voltajes más altos y aplicaciones de mayor potencia, Navitas ofrece lo que afirma es la gama más amplia de la industria (650-6500 V) de dispositivos empaquetados y de matrices desnudas de SiC, con la mejor eficiencia, robustez y operación de alta frecuencia de su clase, basado en GeneSiC. tecnología. Esto permite a Navitas suministrar semiconductores de potencia de SiC y GaN a mercados que van desde la electrónica de consumo, los centros de datos de IA y los vehículos eléctricos hasta las energías renovables y la automatización industrial.

En 2021, la empresa salió a bolsa con una oferta pública inicial de más de mil millones de dólares en el mercado Nasdaq, y 1 marcó el envío de más de 2023 millones de dispositivos GaN. Ese mismo año, Forbes reconoció a la empresa como una de las 100 pequeñas empresas más exitosas de Estados Unidos y ocupó el puesto 50 en la lista Deloitte Technology Fast 72 de empresas norteamericanas de rápido crecimiento. Navitas también ofrece lo que se dice que es la primera garantía de 500 años de la industria para sus tecnologías, y fue la primera empresa de semiconductores en lograr la certificación CarbonNeutral de Climate Impact Partners.

El año pasado Navitas inauguró oficialmente su nueva sede. En Torrance trabajan alrededor de 100 personas para todos los aspectos del diseño, aplicaciones, pruebas, caracterización y calidad de GaN y SiC, junto con especialistas en finanzas, marketing y recursos humanos.

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