Noticias: Microelectrónica
14 de marzo de 2024
Worksport Ltd de West Seneca, NY, EE. UU. (un fabricante de accesorios para automóviles que desarrolla soluciones de energía limpia) ha anunciado un movimiento estratégico para integrar el nitruro de galio (GaN) en sus próximas ofertas de productos.
Motivado por el potencial de GaN para proporcionar un rendimiento superior, mayor eficiencia y tamaño y peso reducidos en comparación con las soluciones convencionales basadas en silicio, el objetivo de Worksport es integrar GaN en futuras versiones de sus sistemas móviles de generadores de baterías COR, a través de varias asociaciones, incluida una anunciada a principios de Febrero con el fabricante de semiconductores GaN Infineon Technologies AG de Munich, Alemania.
En comparación con el silicio, los interruptores de potencia basados en GaN presentan capacitancias generales más bajas, especialmente considerando que no tienen un diodo de cuerpo antiparalelo. Por lo tanto, los conmutadores GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas y menores pérdidas de energía. El GaN también puede soportar temperaturas más altas que el silicio. Por lo tanto, el uso de GaN puede aumentar la eficiencia, la gestión térmica y el rendimiento. Además, dado que GaN tiene una amplia banda prohibida de energía, los dispositivos pueden soportar voltajes mucho más altos que los dispositivos basados en silicio y al mismo tiempo utilizan paquetes más pequeños. Esto puede dar lugar a convertidores de potencia con una densidad de potencia mucho mayor que la que normalmente se encuentra en los conmutadores basados en silicio.
Worksport considera que, al aprovechar la tecnología GaN, sus productos futuros podrán ofrecer un rendimiento inigualable y al mismo tiempo consumir menos energía, lo que se traducirá en una mayor duración de la batería gracias a los convertidores de potencia de mayor eficiencia. Además, debido a la mayor eficiencia de GaN, los convertidores de potencia basados en GaN irradian menos calor y tienen menores requisitos de refrigeración y una menor necesidad de ventiladores de refrigeración, lo que lleva a la empresa a creer que podría producir un tamaño más compacto para su electrónica de potencia. Además, Worksport cree que, al utilizar GaN, podrá crear dispositivos más fiables y duraderos, al tiempo que reducirá el riesgo de sobrecalentamiento y degradación del rendimiento.
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/worksport-140324.shtml
