Sangwan, VK et al. Fenómenos memristivos sintonizables por puerta mediados por límites de grano en MoS2 de una sola capa. Nat. Nanotecnología. 10, 403–406 (2015). Artículo CAS Google Scholar ...
Intel y TSMC conforman dos de las tres empresas de lógica de vanguardia. En la IEDM celebrada en diciembre de 2022, Intel presentó un documento sobre...
TSMC presentó dos documentos sobre 3nm en el IEDM 2022; “Características críticas del proceso que permiten un escalado de paso de puerta contactado agresivo para la tecnología CMOS de 3nm y...
Investigadores del NIST, Purdue University, UCLA, Theiss Research, Pekín... publicaron un nuevo artículo de investigación titulado "Cómo informar y comparar transistores de efecto de campo emergentes".
