1. A.

   Los valores de conductancia informados en la publicación son ~8% más bajos (cerca de 2e²/h) que el valor real (Fig. 1 corregida). Esta desviación se debe a una caída en la ganancia del amplificador de corriente a voltaje a una frecuencia de excitación de CA de 67 Hz.⁵. Como resultado, hay un ligero cambio en el factor de mejora de la conductancia de Andreev y la transparencia del contacto superconductor extraída de la mejora (a continuación en B se proporciona una comparación entre los valores citados en la publicación y los corregidos). Las conclusiones generales no se basan en el valor exacto de la conductancia, ya que no se espera una cuantificación precisa debido a la geometría del dispositivo de dos terminales.

2. B.

   La resistencia en serie restada de 3 kΩ en la Fig. 1 original fue una sobreestimación (ver Fig. 1 corregida en la Dato suplementario archivo). La resta de 3 kΩ no se menciona en la publicación original.

Una comparación de la Fig. 1 original y corregida se presenta en un Dato suplementario expediente que acompaña a esta corrección.

Análisis original de la resistencia de contacto.

Para todas las cifras de la publicación original excepto la Fig. 1, restamos un valor de resistencia de contacto de 0.5 kΩ, lo cual es una subestimación.¹, o ninguna resistencia en absoluto. Observamos que en las mediciones de túneles la resistencia general es significativamente mayor que la resistencia de contacto del metal normal, cuya contribución, por lo tanto, puede despreciarse. Sin embargo, la Figura 1 se utilizó para estimar la transparencia del contacto superconductor y la mejora de Andreev en el régimen de alta conductancia, lo que requiere una exclusión realista de la resistencia del contacto. Siguiendo nuestro artículo anterior⁴, que encontró valores normales de resistencia de contacto metálico entre 1.5 y 3.25 kΩ por contacto y se basó en el ajuste de la conductancia medida utilizando la teoría (modo único que interconecta un superconductor), que proporcionó una concordancia razonable después de excluir 3 kΩ, restamos 3 kΩ para excluir la resistencia. del contacto metálico normal.

Reanálisis de la resistencia de contacto.

Durante nuestro reanálisis, descubrimos que la resistencia mínima de este dispositivo en los voltajes de compuerta aplicados más grandes es de 2.9 kΩ, un valor que proporciona un límite superior en la resistencia de contacto. Aquí, 2.9 kΩ sería la resistencia de contacto bajo el supuesto de que el nanocable en sí tiene resistencia cero en los voltajes de compuerta más altos.

La resistencia de contacto se puede estimar con un método alternativo restando una resistencia en serie para igualar la meseta de conductancia observada en voltajes de polarización por encima de la brecha superconductora al valor cuantificado esperado, un procedimiento que no se realiza en la publicación original. Tomando la conductancia promediada en positivo y negativo |V| ~ 1.7 mV (alrededor de los voltajes de polarización más grandes disponibles para este análisis), encontramos que el valor cuantificado se alcanza para una resistencia de contacto de 0.77 kΩ. (Si se considera solo la polarización positiva y por separado solo la polarización negativa, se obtiene un rango de 0 a 2.13 kΩ para la resistencia de contacto).

En nuestra estimación corregida de la resistencia de contacto, hemos aplicado el procedimiento de calibración⁵ que corrige los efectos del circuito de CA, utiliza valores calibrados para la resistencia en serie de la configuración donde se midió la Fig. 1 y corrige directamente el error enumerado en A arriba.

Tras un nuevo análisis, estimamos los siguientes valores de resistencia de contacto, factores de mejora y transparencias:

El valor de transparencia de contacto superconductor corregido de 0.9 no afecta la afirmación de alta transparencia. La reivindicación del transporte balístico no se basa en el valor exacto de la meseta de conductancia y, por tanto, tampoco se ve afectada.

1. C.

   La sección de Métodos original omite la indicación de resistencias en serie restadas que representan la resistencia de contacto metálica normal en cada figura. Lo siguiente se incluye aquí para los métodos corregidos:

"Tratamiento de resistencia de contacto. En las Figs. 0.5 y 1, figuras complementarias. 1, 2b, c y 4-9 para tener en cuenta la resistencia de contacto del cable metálico normal. Este valor es menor que la resistencia de contacto más baja que hemos obtenido para dispositivos de nanocables de InSb.²⁵ (árbitro. ⁴ a continuación), lo que hace que la transparencia de la interfaz estimada a partir de la Fig. 1 sea un límite inferior. Para las figuras restantes, no se ha restado ninguna resistencia en serie para tener en cuenta la resistencia normal del contacto metálico”.

1. D.

   En la figura complementaria original. 5 (ahora figura complementaria. 6), se corrigió un salto de carga mediante la eliminación de 12 rastros de línea (correspondientes a +0.15 V a +0.04 V en el voltaje de la puerta en los datos medidos) y un desplazamiento del eje de voltaje de la puerta en 0.12 V después del salto de carga (–1 V a +0.03 V) para mantener la continuidad del eje. Este procesamiento no fue mencionado en la publicación original. La figura complementaria corregida. 6 excluye este procesamiento y representa los datos medidos.

Una comparación de la Fig. SI5 original y corregida (ahora Fig. SI6) se presenta en un Dato suplementario expediente que acompaña a esta corrección.

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• Fuente: https://www.nature.com/articles/s41565-024-01602-8