Cada vez hay más conciencia de que la litografía EUV es en realidad una técnica de imagen que depende en gran medida de la distribución de electrones secundarios en la capa de resistencia [1-5]. Los aspectos estocásticos deben atribuirse no solo al número discreto de fotones absorbidos, sino también a los electrones que se liberan posteriormente. La función de dispersión de electrones, en particular, debe cuantificarse como parte de la evaluación de la resistencia [5]. Es probable que la escala de la dispersión o el desenfoque de los electrones no sea un parámetro bien definido, pero tiene cierta distribución.
Es necesario evaluar cuantitativamente esta distribución de la propagación. Un enfoque básico y directo es modelar dos características lo suficientemente cerca una de la otra para mostrar la pérdida de resistencia que depende del desenfoque de electrones. Por ejemplo, dos puntos de 20-25 nm separados por una distancia de centro a centro de 40 nm se verán significativamente afectados por una longitud de escala de desenfoque de electrones de 3 nm, pero mucho menos por una longitud de escala de 2 nm (ver la figura a continuación).
La pérdida de resistencia entre dos características expuestas estrechamente espaciadas después del desarrollo depende de la longitud de escala de la dispersión de electrones, también conocida como desenfoque [5].
Una resistencia EUV o resistencia de haz de electrones podría evaluarse en un espesor dado mediante la evaluación de exposiciones de haz de electrones o EUV de estas matrices de estos pares de puntos en cantidades suficientes para obtener la distribución de las escalas de desenfoque de electrones, hasta las colas lejanas, es decir, nivel de ppb o inferior. Estos datos serían necesarios para mejores predicciones de rendimiento, debido a la variación de CD, el error de colocación del borde (EPE) e incluso la aparición de defectos estocásticos.
Curiosamente, la litografía electrónica de sonda de barrido, como el uso de un STM, puede tener la ventaja de tener un sesgo de sonda a muestra que limita la dispersión lateral de los electrones, lo que reduce la borrosidad [6]. Nuevamente, el patrón de pares de puntos se puede usar para confirmar si esto es cierto o no.
Referencia
[1] J. Torok et al., "Electrones secundarios en litografía EUV", J. Photopolymer Sci. y Tec. 26, 625 (2013).
[2] R. Fallica et al., “Estimación experimental del desenfoque de electrones secundarios litográficamente relevante, Taller EUVL 2017.
[3] MI Jacobs et al., "Longitudes de atenuación de electrones de baja energía en nanopartículas de núcleo-capa", Phys. química química física 19 (2017).
[4] F. Chen, "La función de propagación de electrones en la litografía EUV", https://www.linkedin.com/pulse/electron-spread-function-euv-lithography-frederick-chen
[5] F. Chen, La importancia de la medición de la dispersión de electrones secundarios en las resistencias EUV”, https://www.youtube.com/watch?v=deB0pxEwwvc
[6] U. Mickan y AJJ van Dijsseldonk, patente estadounidense 7463336, cedida a ASML.
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