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Etiqueta: Desenfoque de electrones

Extensión del multipatrón DUV hacia 3 nm – Semiwiki

El reciente logro de China de un nodo de fundición de clase 7 nm que utiliza únicamente litografía DUV plantea la cuestión de hasta qué punto se puede extender la litografía DUV...

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Límites de resolución de litografía: la función de dispersión de puntos

La función de dispersión de puntos es la métrica básica que define la resolución de un sistema óptico. Un punto enfocado tendrá un diámetro definido...

Intercambio entre resolución y tamaño del troquel debido a la rotación de la pupila EUV

Las muchas idiosincrasias de la litografía EUV afectan la resolución que realmente se puede realizar. Uno que todavía no recibe tanta atención como...

Exposiciones monopolares múltiples: ¿la forma correcta de controlar las aberraciones en la litografía EUV?

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Litografía específica de la aplicación: Sub-0.0013 um2 Patrón de nodo de almacenamiento DRAM

La búsqueda de tamaños de celdas DRAM cada vez más pequeños sigue activa y en curso. Se proyecta que el tamaño de la celda DRAM se acerque a 0.0013 um2 para...

La aleatoriedad del desenfoque de electrones secundario como origen de los defectos estocásticos de EUV

Los defectos estocásticos en la litografía EUV se han estudiado en los últimos años. Durante años, el ruido de Poisson de la baja densidad de fotones de...

Predicción de la densidad de defectos estocásticos EUV

La litografía ultravioleta extrema (EUV) apunta a tonos de patrones por debajo de 50 nm, que está más allá de la resolución de un sistema de litografía de inmersión sin patrones múltiples. En...

Pares de puntos para la medición de la borrosidad de electrones secundarios en EUV y resistencias de haz de electrones

Cada vez hay más conciencia de que la litografía EUV es en realidad una técnica de imagen que depende en gran medida de la distribución de electrones secundarios en la resistencia...

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