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Etiqueta: beol

Weebit Nano aporta los beneficios de ReRAM al mercado automotriz – Semiwiki

La memoria no volátil (NVM) es un componente fundamental para la mayoría de los sistemas electrónicos. La tecnología NVM más popular ha sido tradicionalmente la flash. Como discreto...

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Los procesos de grabado empujan hacia una mayor selectividad y control de costos

El grabado con plasma es quizás el proceso más esencial en la fabricación de semiconductores, y posiblemente la más compleja de todas las operaciones de fabricación después de la fotolitografía. Cerca de...

Resistencia de puerta en el flujo de diseño de circuitos integrados

La resistencia de la puerta MOSFET es un parámetro muy importante que determina muchas características de los circuitos MOSFET y CMOS, como: • Velocidad de conmutación• Retardo RC• Fmax –...

DuPont lanza ULTRAFILL™ 6001 baño doble de recubrimiento de cobre damasquinado para…

Durante más de 10 años, los fabricantes de semiconductores de vanguardia han confiado en los productos damasquinados duales de DuPont para lograr nodos de tecnología de semiconductores por debajo...

Innovaciones de procesos que permiten memorias y SoC de última generación

Lograr mejoras en el rendimiento de paquetes y SoC avanzados (aquellos que se utilizan en aplicaciones móviles, centros de datos e IA) requerirá soluciones complejas y...

Cómo una memoria no volátil integrada puede ser un diferenciador

La memoria integrada hace que las aplicaciones informáticas se ejecuten más rápido. En los primeros días de la industria de los semiconductores, el deseo de utilizar una gran cantidad de memoria en el chip...

¿Cómo afecta la rugosidad del borde de la línea (LER) al rendimiento de los semiconductores en los nodos avanzados?

El retraso RC de la línea de metal BEOL se ha convertido en un factor dominante que limita el rendimiento del chip en los nodos avanzados. Los lanzamientos de línea de metal más pequeños requieren...

Caracterización RF detallada de transistores de óxido de indio ultrafinos

Investigadores de la Universidad de Purdue y...

Hay mucho espacio en la parte superior: imaginando interruptores electromecánicos en miniatura en aplicaciones informáticas de bajo consumo

Las primeras computadoras se construyeron utilizando componentes electromecánicos, a diferencia de los sistemas electrónicos modernos de hoy. El multiplicador de criptoanálisis de Alan Turing y el Z2 de Konrad Zuse fueron inventados y...

Ampliación de las interconexiones de cobre a 2 nm

Desde vías de baja resistencia hasta rieles de alimentación enterrados, se necesitan múltiples estrategias para introducir chips de 2 nm.

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Cambios fundamentales en los procesos de fabricación de circuitos integrados

El énfasis cambia de la velocidad a la confiabilidad y la personalización, lo que ralentiza varios pasos del proceso y cuándo se realizan; el equipo dejado de lado gana tracción.

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Los semiconductores 2D progresan, pero lentamente

El control de canales es un problema persistente que no tiene una solución sencilla.

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El efecto de la carga del patrón en el rendimiento y la confiabilidad de BEOL durante la planarización mecánica química

La erosión de CMP y los defectos de formación de platos debido a las diferencias en la densidad del patrón se están convirtiendo en un problema importante.

El puesto El efecto de la carga del patrón en el rendimiento y la confiabilidad de BEOL durante la planarización mecánica química apareció por primera vez en Ingeniería de semiconductores.

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