La resistencia de la puerta MOSFET es un parámetro muy importante que determina muchas características de los circuitos MOSFET y CMOS, como: • Velocidad de conmutación• Retardo RC• Fmax –...

Existe un tenue equilibrio entre la cantidad de esquinas que debe considerar un equipo de diseño, el costo del análisis y los márgenes que insertan...

Intel y TSMC conforman dos de las tres empresas de lógica de vanguardia. En la IEDM celebrada en diciembre de 2022, Intel presentó un documento sobre...

Lograr mejoras en el rendimiento de paquetes y SoC avanzados (aquellos que se utilizan en aplicaciones móviles, centros de datos e IA) requerirá soluciones complejas y...

25 de enero de 2023 (Nanowerk News) Las fábricas de microchips en los Estados Unidos pueden meter miles de millones de transistores de procesamiento de datos en un pequeño chip de silicio,...

TSMC presentó dos documentos sobre 3nm en el IEDM 2022; “Características críticas del proceso que permiten un escalado de paso de puerta contactado agresivo para la tecnología CMOS de 3nm y...

Ann Kelleher es la Vicepresidenta Ejecutiva y Gerente General de Desarrollo de Tecnología de Intel, y pronunció la primera charla plenaria para dar inicio a la IEDM 2022,...

Los proveedores de servicios en la nube han rastreado el origen de los errores de datos silenciosos hasta defectos en las CPU (hasta 1,000 partes por millón)...

La computación cercana al umbral se ha utilizado durante mucho tiempo para dispositivos sensibles a la energía, pero algunos avances sorprendentes y no relacionados están haciendo que sea mucho más fácil de implementar. Si bien la lógica cercana al umbral tiene...

La fabricación de estructuras 3D requerirá un control a nivel atómico de lo que se elimina y lo que permanece en una oblea.

El puesto Se lanza grabado altamente selectivo para chips de próxima generación apareció por primera vez en Ingeniería de semiconductores.