Investigadores del KAIST (Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea) publicaron un nuevo documento técnico titulado "Una neurona artificial con un transistor de efecto de campo en forma de aleta con fugas para una red neuronal capacitiva altamente escalable".
“En la memoria flash comercializada, el óxido de túnel evita que las cargas atrapadas se escapen para una mejor capacidad de memoria. En nuestra neurona FinFET propuesta, el óxido de túnel se eliminó intencionalmente para escapar de las cargas atrapadas, lo que nos da la función de fuga de la neurona”, dijo el autor principal del artículo e investigador de KAIST, Joon-Kyu Han en este Artículo de noticias de ciencia avanzada. "Por lo tanto, la función de integración y disparo (LIF) con fugas de la neurona biológica se imitó gracias a la estructura de puerta de la neurona FinFET propuesta".
Encuentra los documento técnico aquí. Publicado en octubre de 2022.
Han, J., Yu, J., Kim, D. y Choi, Y. (2022), Una neurona artificial con un transistor de efecto de campo en forma de aleta con fugas para una red neuronal capacitiva altamente escalable. Adv. Intel. sist. 2200112. https://doi.org/10.1002/aisy.202200112.
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