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Etiqueta: FinFET

ISS 2024 – Lógica 2034 – Tecnología, Economía y Sostenibilidad – Semiwiki

Para el Simposio de Estrategia Internacional SEMI 2024, los miembros del comité organizador me desafiaron a analizar dónde estará la lógica...

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Interface IP en 2022: el crecimiento interanual del 22 % sigue impulsado por los datos – Semiwiki

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Luchando por la reducción del margen físico en fichas

Los nodos de proceso más pequeños, junto con una búsqueda continua para agregar más funciones a los diseños, obligan a los fabricantes de chips y a las empresas de sistemas a elegir qué diseño...

La litografía de alta NA comienza a tomar forma

El futuro de la tecnología de semiconductores a menudo se ve a través de las lentes de los equipos de fotolitografía, que continúan ofreciendo una mejor resolución para los nodos de procesos futuros...

El CTO de CGD, Florin Udrea, es incluido en el Salón de la Fama de IEEE ISPSD

Noticias: Microelectrónica 20 de junio de 2023 Cambridge GaN Devices Ltd (CGD), que se separó del Departamento de Ingeniería Eléctrica de la Universidad de Cambridge...

Los costos de oportunidad de usar E/S de fundición frente a bibliotecas de E/S personalizadas de alto rendimiento – Semiwiki

La visión original de Certus Semiconductor en 2008 fue aprovechar las bibliotecas de E/S de producción de socios más importantes, comenzando con Freescale, y llevarlo...

Mitigación de caída de voltaje

La caída de voltaje, también conocida como caída de IR, es un fenómeno que ocurre cuando la corriente en la red de suministro de energía cambia abruptamente debido a...

Applied Materials anuncia el centro de desarrollo “EPIC” – Semiwiki

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Los procesos de grabado empujan hacia una mayor selectividad y control de costos

El grabado con plasma es quizás el proceso más esencial en la fabricación de semiconductores, y posiblemente la más compleja de todas las operaciones de fabricación después de la fotolitografía. Cerca de...

Alphawave Semi presenta soluciones de conectividad de 3nm y plataformas habilitadas para chiplets para aplicaciones de centros de datos de alto rendimiento

Hubo bastantes anuncios en el Simposio Técnico de TSMC la semana pasada, pero los más importantes, en mi opinión, se basaron en TSMC...

Resistencia de puerta en el flujo de diseño de circuitos integrados

La resistencia de la puerta MOSFET es un parámetro muy importante que determina muchas características de los circuitos MOSFET y CMOS, como: • Velocidad de conmutación• Retardo RC• Fmax –...

Una arquitectura informática en memoria basada en una estructura de material bidimensional dúplex para el aprendizaje automático in situ

Hutson, M. ¿Se ha convertido la inteligencia artificial en alquimia? Science 360, 478–478 (2018). Artículo CAS Google Scholar Christensen, DV et al. Hoja de ruta 2022 sobre neuromórfica...

Innovaciones de procesos que permiten memorias y SoC de última generación

Lograr mejoras en el rendimiento de paquetes y SoC avanzados (aquellos que se utilizan en aplicaciones móviles, centros de datos e IA) requerirá soluciones complejas y...

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