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Etiqueta: 0.33 NA VUE

Litografía de aplicación específica: amplificador de detección y patrones metálicos de controlador de línea de subpalabra en DRAM - Semiwiki

En un chip DRAM, el diseño de características fuera del conjunto de celdas puede ser tan desafiante como aquellas dentro del propio conjunto. Mientras...

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La aleatoriedad del desenfoque de electrones secundario como origen de los defectos estocásticos de EUV

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Predicción de la densidad de defectos estocásticos EUV

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Litografía específica de la aplicación: patrón de puerta de nodo de 5 nm

Recientemente se reveló que el nodo N5 de TSMC tiene un paso de puerta mínimo de 51 nm con una longitud de canal...

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