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Etiqueta: IEDM

Debates sobre Intel y TSMC IDM 2024 – Semiwiki

En diciembre de 2023, publicamos el pronóstico de ingresos de Intel para las ventas externas de obleas y brindamos un desglose de cómo los clientes planean aumentar la fundición....

Top News

Una visión privilegiada de los premios anuales de la Alianza Global de Semiconductores (GSA) 2023 - Semiwiki

Mi bella esposa y yo asistimos al evento anual de premios de la Global Semiconductor Alliance (GSA) la semana pasada. Por lo general, este es un evento en solitario, pero desde...

IEDM Buzz – Intel presenta una nueva innovación de escalado de transistores verticales – Semiwiki

Durante más de 65 años, la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) del IEEE ha sido el foro más importante del mundo para informar sobre avances tecnológicos en...

La ruta de conducción asimétrica y la redistribución del potencial determinan la conductividad dependiente de la polarización en ferroeléctricos en capas – Nature Nanotechnology

Wang, S. y col. Dispositivos bidimensionales e integración hacia las líneas de silicio. Nat. Madre. 21, 1225–1239 (2022).Artículo CAS...

Seminario web sobre el modelo de fundición interna de Intel – Semiwiki

Intel realizó un seminario web hoy para analizar su modelo de fundición interna IDM2.0. En la llamada estaban Dave Zinsner, vicepresidente ejecutivo y director financiero...

Transistores de efecto de campo ferroeléctrico de canal bidimensional/AlScN escalables CMOS compatibles con back-end-of-line – Nature Nanotechnology

Migliato Marega, G. et al. Lógica en memoria basada en un semiconductor atómicamente delgado. Nature 587, 72–77 (2020).Artículo CAS Google Scholar Wang, Z. et al....

SPIE 2023 – imec Preparándose para EUV High-NA – Semiwiki

En febrero se llevó a cabo la Conferencia de Litografía Avanzada SPIE. Recientemente tuve la oportunidad de entrevistar a Steven Scheer, vicepresidente de procesos de creación de patrones avanzados...

Resistencia de puerta en el flujo de diseño de circuitos integrados

La resistencia de la puerta MOSFET es un parámetro muy importante que determina muchas características de los circuitos MOSFET y CMOS, como: • Velocidad de conmutación• Retardo RC• Fmax –...

Crecimiento de MoS2 a baja temperatura en obleas CMOS

Lemme, MC, Akinwande, D., Huyghebaert, C. y Stampfer, C. Nat. común 13, 1392 (2022).Artículo CAS Google Scholar Kelleher, AB Celebrando 75...

Una arquitectura informática en memoria basada en una estructura de material bidimensional dúplex para el aprendizaje automático in situ

Hutson, M. ¿Se ha convertido la inteligencia artificial en alquimia? Science 360, 478–478 (2018). Artículo CAS Google Scholar Christensen, DV et al. Hoja de ruta 2022 sobre neuromórfica...

IEDM 2023 – Materiales 2D – Intel y TSMC

Intel y TSMC conforman dos de las tres empresas de lógica de vanguardia. En la IEDM celebrada en diciembre de 2022, Intel presentó un documento sobre...

Innovaciones de procesos que permiten memorias y SoC de última generación

Lograr mejoras en el rendimiento de paquetes y SoC avanzados (aquellos que se utilizan en aplicaciones móviles, centros de datos e IA) requerirá soluciones complejas y...

Sustitución epitaxial de yoduros metálicos para el crecimiento a baja temperatura de calcogenuros metálicos bidimensionales

Badaroglu, M. et al. Más Moore. En 2021 IEEE International Roadmap for Devices and Systems Outbriefs 1–38 (IEEE, 2020).Liu, Y. et al. Promesas y...

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